當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 硅基芯片 > 芯片 > ZGSOI芯片光電探測器陣列

SOI芯片光電探測器陣列

簡要描述：SOI芯片光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

產(chǎn)品型號：ZG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-12-27
訪問量：921

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹

品牌	梓冠

SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

Chip-based multi-channel photodetector array is a product based on Ge-Si SOI platform. This product achieved the integration of multi-channel photodetectors on a single SOI chip. The MMI-based optical hybrider/mixer could also be integrated on the chip. It is capable of tiny polarization sensitivity and large electrical bandwidth. Both the die products and chip package solutions are provided.

〖性能指標(biāo)Specifications〗

參數(shù)指標(biāo) Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流 Dark current	nA	35		50
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth	GHz			28
光飽和功率 Optical saturation power	mW	10
響應(yīng)度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光學(xué)混頻器損耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光學(xué)混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道數(shù) Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纖接入損耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相關(guān)損耗 PDL	dB	≤0.3
工作溫度范圍 Operating temperature range	°C	-20		50
工作濕度范圍 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)

產(chǎn)品咨詢

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細(xì)地址：
補(bǔ)充說明：
驗(yàn)證碼：

請輸入計(jì)算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

上一篇：梓冠硅基NS光開關(guān)
下一篇：ZGSOI芯片式高速光開關(guān)陣列

精品国产自在久精品国产-在线免费亚洲一区视频-乱女熟妇综合一区二区三区-免费黄片影院在线观看

SOI芯片光電探測器陣列

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細(xì)地址：

補(bǔ)充說明：

驗(yàn)證碼：