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當前位置:首頁 > 產品中心 > 光衰減器系列 > 高速光衰減器 > ZG-VOA-NS納秒高速光衰減器

納秒高速光衰減器

簡要描述:納秒高速光衰減器
簡介
具備支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態(tài)芯片,具有百納秒級的響應速度,八通道單片集成,功耗低,滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數量級,達到100ns級,使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外,其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求,集成度有助于大

  • 產品型號:ZG-VOA-NS
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-12-24
  • 訪  問  量:836

詳細介紹

品牌梓冠價格區(qū)間1-500
組件類別光學元件應用領域化工,能源,電子,電氣,綜合
波長1260~1650nm

 

高速可調光衰減器

簡介

高速可調光衰減器具備支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態(tài)芯片,具有百納秒級的響應速度,八通道單片集成,功耗低,滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數量級,達到100ns級,使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外,其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求,集成度有助于大幅度減小模塊尺寸,純固態(tài)波導芯片使其具備可靠性。

特性                    應用

100ns級高速響應             通道間光功率均衡或阻塞

多至48通道單片集成         模擬信號調制

全固態(tài)波導芯片              

超低光損耗

主要指標(典型值)

性能指標

單位

吸收型

備注

工作波長

nm

15251565


響應時間

ns

100-300


插入損耗

dB

1.2

光纖進到光纖出的損耗

衰減范圍

dB

25


偏振相關性

dB

0.3

@0dB衰減時

0.5

@0~25dB衰減時

功耗(@18dB衰減)

mW

150

隨衰減量增大而增大

電壓

V

1.2


電流

mA

0-35


集成度

/

6CH/48CH




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